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基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工藝SRAM單粒子效應(yīng)實(shí)時(shí)測(cè)量試驗(yàn)

物理學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 11 2023-05-18
摘要： 本文基于海拔為4300 m的拉薩羊八井國(guó)際宇宙射線觀測(cè)站,開(kāi)展了14 nm FinFET和28 nm平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工藝靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static randomaccess memory, SRAM)陣列的大氣輻射長(zhǎng)期實(shí)時(shí)測(cè)量試驗(yàn).試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間為6651 h,共觀測(cè)到單粒...

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